[13457個在庫]
- 品番:
- IRFH7190TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 15A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7190TRPBF electronic components. IRFH7190TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7190TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7190TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH7190TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 15A
シリーズ :
FASTIRFET™, HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15A (Ta), 82A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 49A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.6V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1685pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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