IXTT30N50L 価格設定（USD） [9107個在庫]
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- 品番:
- IXTT30N50L
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTT30N50L electronic components. IXTT30N50L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT30N50L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTT30N50L 製品の属性
品番 :
IXTT30N50L
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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