説明 :
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
600mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
21.3pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1006B-3