ON Semiconductor - FQU3N40TU

KEY Part #: K6410941

[13962個在庫]


    品番:
    FQU3N40TU
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 400V 2A IPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQU3N40TU electronic components. FQU3N40TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU3N40TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQU3N40TU 製品の属性

    品番 : FQU3N40TU
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 400V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.5nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 230pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 30W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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