Transphorm - TP65H035WS

KEY Part #: K6398636

TP65H035WS 価格設定(USD) [4802個在庫]

  • 1 pcs$9.02045

品番:
TP65H035WS
メーカー:
Transphorm
詳細な説明:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Transphorm TP65H035WS electronic components. TP65H035WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP65H035WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WS 製品の属性

品番 : TP65H035WS
メーカー : Transphorm
説明 : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 46.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 12V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.8V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1500pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 156W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.

  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.

  • TP2635N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3.