IPB180P04P4L02ATMA1 価格設定（USD） [55372個在庫]
- 1 pcs$0.70614
- 1,000 pcs$0.58451
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB180P04P4L02ATMA1 electronic components. IPB180P04P4L02ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180P04P4L02ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB180P04P4L02ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB180P04P4L02ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 410µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
286nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
18700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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