SSM3J353F,LF 価格設定（USD） [1087457個在庫]
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- 品番:
- SSM3J353F,LF
- 詳細な説明:
- X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F,LF electronic components. SSM3J353F,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J353F,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J353F,LF 製品の属性
品番 :
SSM3J353F,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
+20V, -25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
159pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
600mW (Ta)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
S-Mini
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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