説明 :
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
900mV @ 600µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
175nC @ 5V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)