SI2399DS-T1-GE3 価格設定（USD） [471021個在庫]
- 1 pcs$0.07853
- 3,000 pcs$0.07418
- 品番:
- SI2399DS-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2399DS-T1-GE3 electronic components. SI2399DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2399DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2399DS-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI2399DS-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
34 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
835pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO4407A_102
- SPP08N80C3XK
- IRFS7734PBF
- SUD50N06-07L-E3
- AO4310
- SPD50N03S207GBTMA1
- 2SK3816-DL-E
- IRF9321PBF
- IRLU8726PBF
- BSL802SNL6327HTSA1
- IRF7702TRPBF
- IRF6722MTR1PBF
- AO4474
- IRFR3504TRRPBF
- IPW60R045CPAFKSA1
- IXTA200N075T
- NTD3055-094G
- SPP80N06S2L-06
- IPP26CN10NGHKSA1
- BUZ32
- BUK9515-100A,127
- SPD07N60S5T
- ISL9N302AP3
- FQB3P20TM
- FDC3616N
- FDC697P_F077
- IRL3803SPBF
- IXFH35N30Q
- 64-0055PBF
- IRL3803STRR
- STS9P2UH7
- IPA60R125P6XKSA1
- IPP024N06N3GXKSA1
- IPP65R190C6XKSA1
- PSMN1R7-60BS,118
- FQP6N70
- IPS65R600E6AKMA1
- NVMFS5C645NLWFAFT3G
- BSO040N03MSGXUMA1
- BSO080P03NS3EGXUMA1