Texas Instruments - CSD16556Q5B

KEY Part #: K6416718

CSD16556Q5B 価格設定(USD) [89066個在庫]

  • 1 pcs$0.45120
  • 2,500 pcs$0.44896

品番:
CSD16556Q5B
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Texas Instruments CSD16556Q5B electronic components. CSD16556Q5B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD16556Q5B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD16556Q5B 製品の属性

品番 : CSD16556Q5B
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.07 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 47nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6180pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.2W (Ta), 191W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSONP (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.