SSM3K16CT(TPL3) 価格設定（USD） [1719142個在庫]
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- 品番:
- SSM3K16CT(TPL3)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT(TPL3) electronic components. SSM3K16CT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K16CT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K16CT(TPL3) 製品の属性
品番 :
SSM3K16CT(TPL3)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
シリーズ :
π-MOSVI
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9.3pF @ 3V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
CST3
パッケージ/ケース :
SC-101, SOT-883
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