STMicroelectronics - STP6NC60

KEY Part #: K6415632

[12342個在庫]


    品番:
    STP6NC60
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 6A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STP6NC60 electronic components. STP6NC60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP6NC60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP6NC60 製品の属性

    品番 : STP6NC60
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
    シリーズ : PowerMESH™ II
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45.5nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1020pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 125W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDD86380-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

    • STT2PF60L

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6.

    • STT3PF20V

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6.

    • SI4776DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO.

    • CSD17575Q3

      Texas Instruments

      MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.

    • CSD19531Q5A

      Texas Instruments

      MOSFET N-CH 100V 100A 8SON.