TPH4R606NH,L1Q 価格設定（USD） [108618個在庫]
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- 品番:
- TPH4R606NH,L1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH,L1Q electronic components. TPH4R606NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH4R606NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH4R606NH,L1Q 製品の属性
品番 :
TPH4R606NH,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3965pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.6W (Ta), 63W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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