PSMN2R6-40YS,115 価格設定（USD） [166703個在庫]
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- 品番:
- PSMN2R6-40YS,115
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS,115 electronic components. PSMN2R6-40YS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN2R6-40YS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN2R6-40YS,115 製品の属性
品番 :
PSMN2R6-40YS,115
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3776pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
131W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669
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