Vishay Siliconix - SQD40N06-25L-GE3

KEY Part #: K6394355

SQD40N06-25L-GE3 価格設定(USD) [49823個在庫]

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品番:
SQD40N06-25L-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD40N06-25L-GE3 製品の属性

品番 : SQD40N06-25L-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 30A TO252
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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