Infineon Technologies - IPB020N04NGATMA1

KEY Part #: K6399828

IPB020N04NGATMA1 価格設定(USD) [71556個在庫]

  • 1 pcs$0.54643

品番:
IPB020N04NGATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB020N04NGATMA1 electronic components. IPB020N04NGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB020N04NGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB020N04NGATMA1 製品の属性

品番 : IPB020N04NGATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 140A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 95µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9700pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 167W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • IRFI840GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • IRLIZ14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP.