Infineon Technologies - IPB80P03P4L04ATMA1

KEY Part #: K6419101

IPB80P03P4L04ATMA1 価格設定(USD) [91344個在庫]

  • 1 pcs$0.42806
  • 1,000 pcs$0.39265

品番:
IPB80P03P4L04ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB80P03P4L04ATMA1 electronic components. IPB80P03P4L04ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80P03P4L04ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80P03P4L04ATMA1 製品の属性

品番 : IPB80P03P4L04ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 253µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs(最大) : +5V, -16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 137W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません