メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MODULE - SIC MOSFET
FETタイプ :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
74A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 15mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
161nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2788pF @ 1000V
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)