Infineon Technologies - AUIRFN7110TR

KEY Part #: K6401738

AUIRFN7110TR 価格設定(USD) [2946個在庫]

  • 4,000 pcs$0.48429

品番:
AUIRFN7110TR
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET NCH 100V 58A PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFN7110TR electronic components. AUIRFN7110TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFN7110TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFN7110TR 製品の属性

品番 : AUIRFN7110TR
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET NCH 100V 58A PQFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 58A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3050pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 4.3W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • SI1471DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.