現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. CEDM8001VL TR

Central Semiconductor Corp - CEDM8001VL TR

KEY Part #: K6416051

CEDM8001VL TR 価格設定（USD） [942755個在庫]

  • 1 pcs$0.04337
  • 8,000 pcs$0.04316
品番:
CEDM8001VL TR
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Central Semiconductor Corp CEDM8001VL TR electronic components. CEDM8001VL TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CEDM8001VL TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CEDM8001VL TR 製品の属性

品番 : CEDM8001VL TR
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 100mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.66nC @ 4.5V
Vgs（最大） : 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 45pF @ 3V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 100mW (Ta)
動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-883VL
パッケージ/ケース : SC-101, SOT-883
あなたも興味があるかもしれません
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

ホットパーツ