HAT2266H-EL-E 価格設定（USD） [96812個在庫]
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- 2,500 pcs$0.42841
- 品番:
- HAT2266H-EL-E
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America HAT2266H-EL-E electronic components. HAT2266H-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2266H-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HAT2266H-EL-E 製品の属性
品番 :
HAT2266H-EL-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
23W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669
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