STMicroelectronics - STP8N120K5

KEY Part #: K6396640

STP8N120K5 価格設定(USD) [12706個在庫]

  • 1 pcs$3.24355

品番:
STP8N120K5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STP8N120K5 electronic components. STP8N120K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP8N120K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP8N120K5 製品の属性

品番 : STP8N120K5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
シリーズ : MDmesh™ K5
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.7nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 505pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 130W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

  • SIHA20N50E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.

  • CSD19532Q5BT

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 100V 100A VSON.