説明 :
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.3 Ohm @ 5A, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
75nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1500pF @ 30V
消費電力(最大) :
2.5W (Ta), 190W (Tc)
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3