Vishay Siliconix - SIA447DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6411794

SIA447DJ-T1-GE3 価格設定(USD) [492035個在庫]

  • 1 pcs$0.07517
  • 3,000 pcs$0.07101

品番:
SIA447DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIA447DJ-T1-GE3 electronic components. SIA447DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA447DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA447DJ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA447DJ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 850mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 80nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2880pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6

あなたも興味があるかもしれません
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.