STD60N55F3 価格設定（USD） [84340個在庫]
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- 品番:
- STD60N55F3
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 80A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD60N55F3 electronic components. STD60N55F3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD60N55F3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD60N55F3 製品の属性
品番 :
STD60N55F3
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
シリーズ :
STripFET™ III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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