IXYS - IXTP60N10T

KEY Part #: K6399007

IXTP60N10T 価格設定(USD) [49481個在庫]

  • 1 pcs$0.86965
  • 10 pcs$0.78561
  • 100 pcs$0.63125
  • 500 pcs$0.49096
  • 1,000 pcs$0.40679

品番:
IXTP60N10T
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTP60N10T electronic components. IXTP60N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP60N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP60N10T 製品の属性

品番 : IXTP60N10T
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
シリーズ : TrenchMV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2650pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 176W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • R5016FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.