IXYS - IXTP60N10T

KEY Part #: K6399007

IXTP60N10T 価格設定(USD) [49481個在庫]

  • 1 pcs$0.86965
  • 10 pcs$0.78561
  • 100 pcs$0.63125
  • 500 pcs$0.49096
  • 1,000 pcs$0.40679

品番:
IXTP60N10T
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTP60N10T electronic components. IXTP60N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP60N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP60N10T 製品の属性

品番 : IXTP60N10T
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
シリーズ : TrenchMV™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2650pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 176W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • R5016FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.