STMicroelectronics - STW35N60DM2

KEY Part #: K6398938

STW35N60DM2 価格設定(USD) [15664個在庫]

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品番:
STW35N60DM2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 28A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW35N60DM2 製品の属性

品番 : STW35N60DM2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 28A
シリーズ : MDmesh™ DM2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 28A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 210W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

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