Infineon Technologies - IRFB7434GPBF

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IRFB7434GPBF 価格設定(USD) [77270個在庫]

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品番:
IRFB7434GPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB7434GPBF 製品の属性

品番 : IRFB7434GPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 195A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 324nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10820pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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