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ON Semiconductor - NIF9N05CLT1G

KEY Part #: K6406976

[8632個在庫]

    品番:
    NIF9N05CLT1G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NIF9N05CLT1G electronic components. NIF9N05CLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NIF9N05CLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NIF9N05CLT1G 製品の属性

    品番 : NIF9N05CLT1G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 59V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.6A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 3V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 2.6A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 100µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±15V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 250pF @ 35V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.69W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
    パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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