説明 :
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
19A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
32.6nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
527pF @ 800V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3