FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Source
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2060pF @ 50V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-Power 5x6