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Microsemi Corporation - APT58F50J

KEY Part #: K6405456

APT58F50J 価格設定（USD） [1659個在庫]

  • 20 pcs$15.76170
品番:
APT58F50J
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT58F50J electronic components. APT58F50J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT58F50J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT58F50J 製品の属性

品番 : APT58F50J
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 58A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 340nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 13500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 540W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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