[8369個在庫]
- 品番:
- IRFBF20L
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBF20L electronic components. IRFBF20L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBF20L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBF20L 製品の属性
品番 :
IRFBF20L
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
490pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 54W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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