NTB45N06T4G 価格設定（USD） [105037個在庫]
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- 品番:
- NTB45N06T4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTB45N06T4G electronic components. NTB45N06T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB45N06T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTB45N06T4G 製品の属性
品番 :
NTB45N06T4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
45A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
26 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1725pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 125W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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