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- 品番:
- NTD85N02RT4
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 24V 12A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTD85N02RT4 electronic components. NTD85N02RT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD85N02RT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD85N02RT4 製品の属性
品番 :
NTD85N02RT4
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
24V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta), 85A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17.7nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2050pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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