Infineon Technologies - IRFS3107PBF

KEY Part #: K6407800

IRFS3107PBF 価格設定(USD) [849個在庫]

  • 1 pcs$2.85133
  • 10 pcs$2.54592
  • 100 pcs$2.08782
  • 500 pcs$1.69063
  • 1,000 pcs$1.42584

品番:
IRFS3107PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3107PBF electronic components. IRFS3107PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3107PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3107PBF 製品の属性

品番 : IRFS3107PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 195A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9370pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 370W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません