IXYS - IXFX20N120P

KEY Part #: K6394643

IXFX20N120P 価格設定(USD) [5542個在庫]

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  • 30 pcs$8.98926

品番:
IXFX20N120P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX20N120P 製品の属性

品番 : IXFX20N120P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 6.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 193nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11100pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 780W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PLUS247™-3
パッケージ/ケース : TO-247-3