説明 :
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4.1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
24nC @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)