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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP318SL6327HTSA1 electronic components. BSP318SL6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP318SL6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP318SL6327HTSA1 製品の属性
品番 :
BSP318SL6327HTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
380pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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