IXYS - IXTK200N10L2

KEY Part #: K6398124

IXTK200N10L2 価格設定(USD) [3638個在庫]

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品番:
IXTK200N10L2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK200N10L2 製品の属性

品番 : IXTK200N10L2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
シリーズ : Linear L2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 23000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-264 (IXTK)
パッケージ/ケース : TO-264-3, TO-264AA

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