Vishay Siliconix - SIHD240N60E-GE3

KEY Part #: K6404950

SIHD240N60E-GE3 価格設定(USD) [71692個在庫]

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品番:
SIHD240N60E-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD240N60E-GE3 製品の属性

品番 : SIHD240N60E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
シリーズ : E
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 783pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 78W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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