Vishay Siliconix - SIHB22N60S-GE3

KEY Part #: K6400781

[3278個在庫]


    品番:
    SIHB22N60S-GE3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 650V TO263.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIHB22N60S-GE3 製品の属性

    品番 : SIHB22N60S-GE3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 650V TO263
    シリーズ : S
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2.81nF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 250W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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