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- 品番:
- SI7620DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7620DN-T1-GE3 electronic components. SI7620DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7620DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7620DN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI7620DN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
126 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
600pF @ 75V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8
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