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- 品番:
- FQA19N20L
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQA19N20L electronic components. FQA19N20L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA19N20L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA19N20L 製品の属性
品番 :
FQA19N20L
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
140 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
190W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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