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ON Semiconductor - FDS8672S

KEY Part #: K6415769

FDS8672S 価格設定（USD） [122807個在庫]

  • 1 pcs$0.30269
  • 2,500 pcs$0.30119
品番:
FDS8672S
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDS8672S electronic components. FDS8672S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS8672S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS8672S 製品の属性

品番 : FDS8672S
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
シリーズ : PowerTrench®, SyncFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 18A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2670pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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