[3243個在庫]
- 品番:
- IXTM50N20
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- POWER MOSFET TO-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTM50N20 electronic components. IXTM50N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM50N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTM50N20 製品の属性
品番 :
IXTM50N20
メーカー :
IXYS
説明 :
POWER MOSFET TO-3
シリーズ :
GigaMOS™
部品ステータス :
Last Time Buy
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-204AE
パッケージ/ケース :
TO-204AE
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