メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
18V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
585 mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 900µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
27nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
463pF @ 800V