TPH2900ENH,L1Q 価格設定（USD） [88126個在庫]
- 1 pcs$0.45546
- 5,000 pcs$0.45320
- 品番:
- TPH2900ENH,L1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 33A SOP8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q electronic components. TPH2900ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH2900ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH2900ENH,L1Q 製品の属性
品番 :
TPH2900ENH,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
33A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2200pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
78W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO4407A_102
- SPP08N80C3XK
- IRFS7734PBF
- SUD50N06-07L-E3
- AO4310
- SPD50N03S207GBTMA1
- 2SK3816-DL-E
- IRF9321PBF
- IRLU8726PBF
- BSL802SNL6327HTSA1
- IRF7702TRPBF
- IRF6722MTR1PBF
- AO4474
- IRFR3504TRRPBF
- IPW60R045CPAFKSA1
- IXTA200N075T
- NTD3055-094G
- SPP80N06S2L-06
- IPP26CN10NGHKSA1
- BUZ32
- BUK9515-100A,127
- SPD07N60S5T
- ISL9N302AP3
- FQB3P20TM
- FDC3616N
- FDC697P_F077
- IRL3803SPBF
- IXFH35N30Q
- 64-0055PBF
- IRL3803STRR
- STS9P2UH7
- IPA60R125P6XKSA1
- IPP024N06N3GXKSA1
- IPP65R190C6XKSA1
- PSMN1R7-60BS,118
- FQP6N70
- IPS65R600E6AKMA1
- NVMFS5C645NLWFAFT3G
- BSO040N03MSGXUMA1
- BSO080P03NS3EGXUMA1