Infineon Technologies - IPSA70R360P7SAKMA1

KEY Part #: K6400610

IPSA70R360P7SAKMA1 価格設定(USD) [77933個在庫]

  • 1 pcs$0.50172

品番:
IPSA70R360P7SAKMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPSA70R360P7SAKMA1 electronic components. IPSA70R360P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSA70R360P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R360P7SAKMA1 製品の属性

品番 : IPSA70R360P7SAKMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 360 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16.4nC @ 400V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 517pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 59.5W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

あなたも興味があるかもしれません
  • FQD3P50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • IRFI720GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP.

  • IRFU9024PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK.

  • CSD13306WT

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.

  • CSD18536KCS

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3.

  • CSD17575Q3T

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.