FDB045AN08A0-F085 価格設定（USD） [31266個在庫]
- 1 pcs$1.31811
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDB045AN08A0-F085 electronic components. FDB045AN08A0-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB045AN08A0-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB045AN08A0-F085 製品の属性
品番 :
FDB045AN08A0-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
19A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
138nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
310W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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